半導体用語集
DRAM
英語表記：Dynamic Random Access Memory
DRAMは、1ビットを構成するセルがスイッチ用トランジスタと電荷を蓄積するキャパシタだけなので、ビットあたりの面積が小さく、高集積化に適している。このCapacitorが充電されているかいないかで1.0を判定する。ただし、キャパシタに蓄積された電荷はリーク電流により短時間で失われるので、定期的に書き直す（Refreshと言う）事が必要であることからDynamicと呼ばれる。
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