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Kokusai Electric株式会社
最終更新日: 2024年05月30日

次世代DRAM、ロジックのゲート絶縁膜形成、フラッシュメモリの絶縁膜形成に最適な枚葉プラズマ窒化・酸化装置

・高スループット
従来モデルの最大2倍の生産性を実現
・MMTプラズマ源搭載
基板表面におけるプラズマの高均一化とプラズマの低電子温度化(~1eV)を実現
・広範囲の温度制御可能
高温ヒーターを搭載
・豊富なアプリケーション
プラズマ酸化、プラズマ窒化に加えて、メタルを酸化せずにSiを選択的に酸化する「選択酸化」が可能

基本情報

・アプリケーション
 プラズマ窒化:絶縁膜窒化
 プラズマ酸化:薄膜酸化膜形成 選択酸化 異方性酸化
・ウェーハサイズ ~300mm

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取扱企業

Kokusai Electric株式会社

業種:繊維  所在地:東京都 千代田区神田鍛冶町 3-4 oak神田鍛冶町5F

成膜装置のリーディングメーカーを目指す

 当社は、株式会社日立国際電気から独立して、新たにKKRファンドのもとで半導体製造装置事業の専門メーカーとして2018年6月1日より「株式会社KOKUSAI ELECTRIC」を新たにスタートしました。当社は新生会社として、この市場環境で変化するユーザニーズに、これまで培ってきた成膜技術をコアに先端技術でお応えし、成膜リーディングメーカーをめざしていきます。常にお客さま視点でのイノベーション企業として、スピーディーな事業オペレーションを展開し、高品質な製品・サービスの提供に努めてまいります。

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