半導体用語集
エッチングプロセス
英語表記：etching process
半導体基板上に電極、配線を形成したり、絶縁層に配線とのコンタクト用の穴を形成する工程を総称してエッチングプロセスという。具体的にはMOSトランジスタのゲート電極の加工、層間絶縁膜へのコンタクトホールやビアホールの加工、金属配線の加工などに用いられている。16～64 kDRAMの世代からプラズマを用いたエッチングプロセスが主体となり、上記材科の加工はすべてプラズマエッチングで行われている。プラズマエッチングはハロゲン系の反応性ガス(塩素化合物、フッ素化合物、臭素化合物)を真空中に導入し、高周波電界を印加して電子を加速し、ガス分子原子と衝突することでイオン化,解離,励起を起こし活性種を簡易に大面積に生成供給することが可能である。その結果、低温でも反応性が高いエッチングが実現できる。さらに、真空中であるため平均自由行程が長く活性種が基板に対してコリメートされて入射するためマスクに対して垂直な加工が可能となる。生成されるイオンと中性粒子のバランスによりマスク材料や下地材料との選択性や形状が決定される。また、エンチング速度はイオンや中性粒子の密度によって決まってくる。一般的にプラズマ放電の圧力が低下すれば低下するほどエッチングの徴細加工性は増す方向にある。シリコン基板の大口径化、デバイスの微細化が加速されており、より低圧で高密度なフラズマを生成することが要求されている。そのため、現在では誘導結合プラズマ (ICP)などのような高密度プラズマが主流となっている。
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