半導体用語集
SOI
英語表記：silicon on insulator
絶縁膜上にシリコン層が形成された構造の基板のこと。一般的に、絶縁膜はシリコン酸化膜（SiO2）、シリコン層は単結晶シリコンである。シリコン層（SOI層）の厚みで1μm以上を厚膜SOI、1μm未満を薄膜SOIと分類する。さらに、最近では0.2μm以下を超薄膜SOIとも言う。厚膜SOIはトレンチ（内部に絶縁膜が埋め込まれた溝）の形成で、パワー、バイポーラ、CMOSなどの素子を絶縁分離して集積化することが可能となり、信頼性の高い1チップ複合ICが製造できる。用途は自動車用IC、薄型ディスプレイの駆動用ICなどがある。基板は、2枚のシリコンウェーハをシリコン酸化膜（SiO2）を介して貼り合わせた後、研削、研磨する貼り合わせ法で製造される。薄膜SOIは、CMOSの寄生容量が小さくなり、高速化、低消費電力化が図れる。用途は、移動通信技術、携帯情報端末用LSIなどがある。SOI基板としては、SIMOX、UNIBOND、ELTRANが製造されている。
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100-200mmの貼付ウエハー（SOI,SiSi）や誘電体分離や高アスペクト比の深いトレンチエッチなどカスタム品を提供します
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