半導体用語集
タングステン
英語表記：tungusten
高融点金属には、LSI作製上大きなメリットがある。たとえばゲート電極として用いられれば、高融点金属は現在用いられているメタルシリサイドよりも導電率が小さく、したがってスイッチング速度が速いため素子の高速化ができる。また、良電導体で、かっ、500～600℃程度までAlーSiに対して不活性で、しかもソース・ドレインを均一に覆うことのできる高融点金属は、AlとSiのスパイクを防止するためのバリアとして使用できる。LSIの大容量化に伴い、サブミクロン径のホールとコンタクトを取る必要が生じてきているが、高融点金属をコンタクト電極として使用できれば、接触抵抗値も減少し、バラッキもなく,信頼性も高くなる。そこで高融点金属の加工は重要であるが、Wはフッ化物の蒸気圧が高いのでフッ素系ガスを用いてエッチングすることができる。Fラジカルとも反応するため、エッチングが等方的になる、下地ゲート酸化膜やシリコンとの選択性が大きくできないなどの間題が発生する。一方、方向性工ッチングを行うには塩素系のガスを使用する方が有利であるが、塩化物は蒸気圧があまり高くなく堆積膜が生じるという問題が発生する。そこで、一般的にはフッ素系ガスと塩素系ガスを混合させることにより、方向性エッチングと選択性を両立させている。
関連製品
ALTUS
Lam Research
CVD技術とALD技術を組み合わせることで、先進的なタングステンメタライゼーション用途の高度なコンフォーマル金属膜を成膜する
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 成膜装置 › ALD装置
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