半導体用語集
フラッシュメモリ
英語表記：
ドレインとコントロール・ゲートに高い電圧を掛けると、高エネルギーを得た電子（ホットエレクトロン）は酸化膜を越えて（トンネルして）、コントロール・ゲートへ注入されメモリーされる。消去の際は、ソースをオープンにし、コントロール・ゲートをOV、ドレインに高電圧を掛けると、フローティング・ゲート中の電子がドレインにトンネル電流として流れ、消去される。消去はワード単位で一挙に行うのでフラッシュと呼ばれる。トンネル電流を流すためにフローティングゲート下の酸化膜は薄く、200オングストローム程度である。
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