半導体用語集
フラッシュメモリ
英語表記：flash memory
正確にはフラッシュEEPROM。同じ機能を持つものとしてEEPROMがあるが、フラッシュメモリは記録した全内容を一括して消去できるのに対して、EEPROMはバイト単位で内容を消去する。フラッシュメモリは、EPROMの代替、携帯電話のメモリ部分、ICカードに利用されており、将来的にはビット当たりコストの低減により磁気記録媒体との競合も考えられる。フラッシュメモリは、導線上にポリシリコンや銅などの薄膜（フローティングゲート）を形成し、トンネル効果などを利用して書き込みや消去を行う。フローティングゲートとコントロールゲートが二重に重なった構造をしているため、スタックドゲートと呼ばれることもある。データが書き込まれると、絶縁酸化膜で守られるため、半永久的に情報を記憶するのが、DRAMとの大きな違いである。また、フラッシュメモリは数少ないトランジスタで1ビットを記憶できるので、集積度も上げやすいという特徴がある。市場規模は、1998年度は約3,000億円であったが、2000年には8,000億円を超えるという予測もある。現在はよりランダムアクセス性が高いNOR型が市場の大半を占めるが、より大容量化に適するNAND型の市場が今後急拡大していこう。応用分野も現在は携帯電話、BIOS、ルータなどが中心であるが、デジタル録音、音楽配信などへも広がっていこう。
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