半導体用語集
プラズマCVD
英語表記：plasma - enhanced Chemical Vapor Deposition
プラズマエネルギーを利用したCVDをプラズマCVDと呼ぶ。代表的な平行平板プラズマは電極を有する減圧された真空容器の中に、反応性ガスを流量制御して導入し、一方の電極に高周波電界を印加すると接地電極との間にグロー放電プラズマが発生する。この時、面積の小さい電力供給電極に大きな電位勾配ができ、高電界で加速された電子と反応性ガスが衝突して、反応性ガスはイオン化あるいは励起あるいは分解しイオンまたは中性ラ ジカルとなる。プラズマ中のイオンま たは中性ラジカルはドリフトまたは拡散で接地電位に置かれた基板に入射し表面反応により薄膜が形成される。プラズマCVDの減圧下では平均自由行程が短いため、気相中でイオン-分子反応、ラジカル-分子反応を繰り返し、基板表面反応においてもラジカルやイオンからエネルギーをえることができるため温度でも良質の膜が形成できる。プラズマには平行平板プラズマの他に,さらに高密度のプラズマがえられる磁場とマイクロ波を印加した電子サイクロトロン共鳴プラズマ (ECR : Electron Cyclotron Reso・ nance Plasma)、誘導コイルを用いた高周波誘導プラズマ(ICP: Inductively Coupled Plasma)、ヘリコンアンテナを用いたヘリコンプラズマ (hericon plasma-enhanced Chemical Vapor Depsition)などがある。
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