半導体用語集
多結晶
英語表記：
多結晶は面方位の異なる、同一元素の結晶の粒が集合した結晶状態を指す。結晶粒の大きさに対して厳密な定義は無いが、Siの場合はおよそ0.1μm～20μm程度までを指すことが多い。多結晶の粒同士の界面では規則性が乱れているため、不対電子等のトラップが多く存在するのが普通である。これらのトラップは水素などにより終端され安定化が図られている。多結晶Si（Poly-Si）はSiデバイスの抵抗体、中・小型LCDや有機ELのピクセルを駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:TFT）、太陽電池等に使われている。
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