半導体用語集
ドライエッチング
英語表記：Dry Etching
薄膜やSi基板表面をウエットエッチング（薬液）の代わりに、エッチングガスを用いて、加工処理する方法をドライエッチングという。エッチングガスにRF電圧を印加し、プラズマを作る。そのプラズマ活性種の化学反応や物理反応を有効に活用して、マスクパターンに忠実なエッチングパターンを形成する。
＊ドライエッチングのモード
1.化学的エッチング（ラジカル）
2.物理的エッチング（イオン）
3.反応性イオンエッチング（イオン+ラジカル）
＊ドライエッチングの特徴（対ウエットエッチ）
1.加工精度が良好
2.自動化し易い
3.エンドポイント検出精度が高い
4.クリーン化が可能
5.高コスト（装置が高価）
6.エッチングダメージが発生し易い
7.選択比が小さい（材料間エッチ速度比）
関連製品
エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi 薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング ? 基板温度依存性?
グローバルネット株式会社
名大院工、尾崎 孝太朗
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