半導体用語集
マスク描画
英語表記：photo mask writing
マスクブランクス上の感光材(レジスト)にLSI回路の設計パターンを描画することをマスク描画という。
電子ビームを用いたマスク描画装置は1970年代後半から実用化された。特にAT&TのBell研究所で開発されたスポットビーム/ラスタ走査/ステージ連続移動のマスク描画装置は、現在もマスク作製における主力リソグラフィ装置である。マスク描画でのマスクパターン寸法は、光リソグラフィエ程で用いるステッパの縮小率が1/4あるいは1/5であることから、設計パターン寸法の4あるいは5倍体である。しかしながら、マスクパターン寸法の微細化に対応してビーム寸法を小さくしていくと、スポットビーム/ラスタ走査/ステージ連続移動のマスク描画装置での描画速度の低下は著しく、最近では可変成形ビーム/ベクタ走査/ステージ連続移動の描画方式のマスク描画装置が使われ始めている。さらに、近年は光マスクにおいても光近接効果補正のための徴細バターン形成が必須となり、電子ビームの加速電圧を50 kVに上げて解像性を向上させた装置が主流になりつつある。加えて、徴細化とともにマスクパターンの寸法管理も厳しくなってきており、高加速描画で問題となる近接効果やレジストヒーティングの低減技術が不可欠となっている。一方、電子ビーム描画よりも古い歴史を持つレーザビーム描画も、1980年代後半から90年代に開発されたマルチビームを用いた高精度・高速度のレーザビーム描画装置の出現によって、現在多く使われている。
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