半導体用語集
イオン注入
英語表記：Ion Implantation
イオン注入はSiの結晶基板やpoly Si膜へ不純物を導入するために応用される。不純物元素をイオン化して加速エネルギを加えて固体中へ打ち込む方法がイオン注入である。低温で適当な量を適当な深さに導入することができる。注入後に格子欠陥が発生するので結晶性の回復と不純物の活性化を目的として1000℃程度のアニールが必要である。
＊イオンをSi結晶に打ち込むと様々な現象が起こる。原子や分子粒子が結晶表面から放出される現象がスパッタ。結晶内に取り込まれる現象がイオン注入。
関連製品
酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
