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Centura Sculpta

Applied Materials,Inc
最終更新日: 2023年06月16日

EUVダブルパターニングに代わる、よりシンプルで高速、かつコスト効率の高いパターニング装置

パターニング装置Centura Sculptaを利用することで、半導体メーカーはEUVパターンを1枚作成した後、この装置を使ってパターン内の各形状を任意の方向に引き伸ばし、フィーチャー間のスペースを狭めてパターン密度を高めることができる。1枚のマスクから最終パターンを作成できるので、設計のコストや複雑さが減少し、ダブルパターニングの位置合わせエラーによる歩留まりリスクも解消される。

基本情報

EUVダブルパターニングではCVDパターニング膜形成、CMP洗浄、フォトレジスト成膜と除去、EUVリソグラフィ、電子ビーム計測、パターニング膜エッチング、ウェーハ洗浄などいくつもの追加製造工程が必要となる。SculptaはEUVダブルパターニングに伴うこうした一連の工程を不要にし、以下の利点を半導体メーカーにもたらす。このため、以下のようなメリットが生じる
・資本コストを月10万枚のウェーハ投入あたり約2億5,000万ドル節減
・製造コストをウェーハ1枚あたり約50ドル節減
・エネルギーをウェーハ1枚あたり15kwh以上節約
・温室効果ガスの直接排出量をウェーハ1枚あたりCO2換算で0.35kg以上削減
・水をウェーハ1枚あたり約15リットル節約

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取扱企業

Applied Materials,Inc

業種:産業用機械 3050 Bowers Avenue,P.O. Box 58039,Santa Clara, CA 95054-3299,United States 

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