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光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた有機層/半導体界面の過渡熱伝導の測定

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

広大、Yu Jiawen

シリコンカーバイド

基本情報

 パワー半導体パッケージでは、デバイスの動作中に発生する熱を効率的に排出することが重要であるが、界面熱抵抗(ITR)がその障害となっている。この研究では、光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いて、有機層と半導体界面のITRと過渡熱伝達を測定した。OICTはウエハの温度変化による反射率の変化を分析し、ウエハ内の過渡温度分布を高精度で取得する技術である。結果として、OICTにより有機層と半導体界面のITRと過渡熱伝導を正確に測定することができ、この技術はパワー半導体パッケージの設計や評価に有効であることが示された。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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