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ケミカルドライエッチング装置「CDE-80R」

プラズマダメージの無いエッチングが可能な、等方性のエッチング装置です。SiコーナーラウンディングやSiスムージングを得意とし、3インチから8インチまでの幅広いウェ-ハへの対応を可能です。

半導体ウェーハ上につけた各種薄膜を気相中(ドライ)で化学的(ケミカル)に削る(エッチング)装置です。処理(エッチング)部とプラズマ発生部が完全に分離したダメージフリーエッチングのため、基盤加工後のダメージ層除去処理等に使用されます。
主な特長は
・マイクロ波を利用した等方性ケミカルドライエッチング
・プラズマダメージフリーエッチング
・ウェーハチャックシステムとステージ温調によるウェーハ温度コントロール
・3~8インチウェーハ対応
・ダブルフィンガー型ロボット搬送採用

基本情報

装置仕様は以下のようになります。
エッチング方式 マイクロ波を利用したケミカルドライエッチング
エッチング材料 Poly-Si, Si3N4BPSG, W, Mo, Ta etc
ウェーハサイズ φ8"(オプションφ6", φ5", φ3")
エッチングチャンバー 枚葉式
排気ポンプ ドライポンプ
圧力制御 コンダクタンスバルブ制御
エッチングガス CF4 ,O2 ,N2 etc
プラズマ電源 マイクロ波 2. 45GHz 1. 0kw

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取扱企業

芝浦メカトロニクス株式会社

業種:産業用機械  所在地:神奈川県 神奈川県横浜市栄区笠間 2-5-1

芝浦メカトロニクスグループは、「Smart」,「Solutions」,「Services」の3つの「S」でお客様のものづくりに貢献してまいります。

当社グループは、長年培ってきたコア技術(精密メカトロニクス、洗浄、真空、成膜、エッチング、貼り合せなど)を結集して、フラットパネルディスプレイ、半導体、電子部品、光学薄膜などの用途向けに製造装置の開発からサービスまでトータルソリューションを提供しています。「すべてに革新を」、「合理性の追求」、「人間性の尊重」を企業行動理念とし、お客様のご要望や課題を一緒に考え、そして満足していただける製品を提供していくことで、お客様にとってなくてはならないパートナーとなることを目指しています。

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