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ICPエッチング装置 RIE-400iPC(SEMICON Japan 2020 Virtual出展)

株式会社サムコ
最終更新日: 2020年12月11日

小径ウエハ専用カセット装置

放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した高密度プラズマエッチング装置です。本装置は、真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置です。Φ4インチなどの小径ウエハ専用装置になり、省スペースに設置することが可能です。

基本情報

特長
・新型ICPソース「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」
 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。

・大流量排気システム
 反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。

・エンドポイントモニタ対応
 干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能です。

・メンテナンスしやすい設計
 TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し交換を容易にしています。

応用例
・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工
・SiC、SiO₂の高速加工
・強誘電体(PZT、BST、SBT、BT)や電極材料(Pt、Au、Ru、Al)など難エッチング材料のエッチング

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取扱企業

株式会社サムコ

業種:産業用機械  所在地:京都府 京都市伏見区竹田藁屋町 36

グローバルニッチ市場のリーディングカンパニー

当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売を行っております。当社は全半導体製造装置市場の数パーセント程度の市場ですが成長が期待できる窒化ガリウム(GaN)、ガリウムヒ素(GaAs)や炭化シリコン(SiC)などの化合物を主体材料とした化合物半導体製造装置に特化しております。 当社は、1979年9月の設立以来、「薄膜」を中核技術とした、材料開発と最先端のプロセステクノロジーの開発に注力してまいりました。

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