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GaAs基板

住友電気工業株式会社
最終更新日: 2021年02月05日

製品群の競争力を保ち、お客様に今まで以上に満足していただくために、「世界最高品質の維持」と「お客様のニーズに対応した新製品の継続的開発」の努力を続けています。

化合物半導体GaAs基板はスマートフォン用パワーアンプ・スイッチ、LED(照明、装飾、表示器)、太陽電池用セルに使われています。提供基板は半絶縁性基板、LED用基板、レーザー用基板などです。

基本情報

半絶縁性基板仕様
Conduction Type Semi-Insulating
Growth Method･Dopant VB･C-Controlled
Use For Epi.
Carbon Concentration(cm-3) Controlled(0.5～20×1015)
Carrier Concentration(cm-3) ≦1×108
Resistivity(Ω･cm) ≧8×107
Mobility(cm2/V･sec) ≧3000
EPD Average(cm-2) ≦10000
Measuring Points of EPD 1 Diameter(mm) 150±0.3
Notch SEMI Standards
Edge Rounding(mmR) 0.25(Conform to SEMI Standards)
Thickness(μm) 675±25 550±25
Orientation (100)±0.3°, (100)2°off<110>±0.3°
Surface Finish P/P
Surface Clean SC＋(Super Clean Plus)
Flatness･LPD Refer to other specification
Package Casset

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取扱企業

住友電気工業株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：大阪府 大阪市中央区北浜 4-5-33 住友ビル

化合物半導体のトップメーカー

半導体分野では化合物半導体事業が中心。GaAs基板、InP基板で大きな実績がある。GaAs基板はスマートフォン用パワーアンプ・スイッチ、LED(照明、装飾、表示器)、太陽電池用セルに使われ、InP基板は光通信用モジュールなどに使われている。

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