カテゴリー

高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名工大、加藤 正史

SiC

基本情報

 高濃度にアルミニウム(Al)をドープしたp型4H-SiCのキャリア再結合機構に関する研究では、フォトルミネッセンス(PL)と時間分解PL(TR-PL)測定を用いて評価が行われてきた。Alドープされた4H-SiCのキャリア寿命は、注入レベルによって異なり、特に高注入条件では温度上昇と共に寿命が短くなることが確認された。PLスペクトルのピーク幅が励起強度の増加に伴い狭くなることから、高注入条件下ではバンド端発光が支配的になることが示唆されている。これは、低注入条件ではAlアクセプター準位を介した再結合が主であるのに対し、高注入条件ではAlアクセプター準位以外の再結合中心が優先されることを意味する。さらに正孔寿命の温度依存性から、高注入条件で支配的な再結合中心はAl準位よりも深い位置にあり、正孔の捕獲エネルギー障壁が0.03eVよりも小さいことが推定さた。この研究は、Alを高濃度にドープした4H-SiCの再結合機構の理解を深めるものである。

お問い合わせ

取扱企業

グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

必要な情報をタイムリーに届けたい

グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合 へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合