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高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名工大、加藤 正史

シリコンカーバイド

基本情報

 高濃度にアルミニウム(Al)をドープしたp型4H-SiCのキャリア再結合機構に関する研究では、フォトルミネッセンス(PL)と時間分解PL(TR-PL)測定を用いて評価が行われてきた。Alドープされた4H-SiCのキャリア寿命は、注入レベルによって異なり、特に高注入条件では温度上昇と共に寿命が短くなることが確認された。PLスペクトルのピーク幅が励起強度の増加に伴い狭くなることから、高注入条件下ではバンド端発光が支配的になることが示唆されている。これは、低注入条件ではAlアクセプター準位を介した再結合が主であるのに対し、高注入条件ではAlアクセプター準位以外の再結合中心が優先されることを意味する。さらに正孔寿命の温度依存性から、高注入条件で支配的な再結合中心はAl準位よりも深い位置にあり、正孔の捕獲エネルギー障壁が0.03eVよりも小さいことが推定さた。この研究は、Alを高濃度にドープした4H-SiCの再結合機構の理解を深めるものである。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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