カテゴリー
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- RF電源／その他電源
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- ヒータ（蒸着装置向け）
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- g・i線レジスト／現像液
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- ArFレジスト／現像液
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- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
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- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
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- 蒸着材料
高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合
名工大、加藤 正史
SiC
基本情報
高濃度にアルミニウム（Al）をドープしたp型4H-SiCのキャリア再結合機構に関する研究では、フォトルミネッセンス（PL）と時間分解PL（TR-PL）測定を用いて評価が行われてきた。Alドープされた4H-SiCのキャリア寿命は、注入レベルによって異なり、特に高注入条件では温度上昇と共に寿命が短くなることが確認された。PLスペクトルのピーク幅が励起強度の増加に伴い狭くなることから、高注入条件下ではバンド端発光が支配的になることが示唆されている。これは、低注入条件ではAlアクセプター準位を介した再結合が主であるのに対し、高注入条件ではAlアクセプター準位以外の再結合中心が優先されることを意味する。さらに正孔寿命の温度依存性から、高注入条件で支配的な再結合中心はAl準位よりも深い位置にあり、正孔の捕獲エネルギー障壁が0.03eVよりも小さいことが推定さた。この研究は、Alを高濃度にドープした4H-SiCの再結合機構の理解を深めるものである。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合
