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i 線ステッパーによる100 nm 級AlGaN/GaN デュアルゲートHEMT の作製

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、安藤 裕二

ガンヘムト

基本情報

　Beyond 5G/6G通信システム向けのテラヘルツ電力増幅器において、GaN-HEMTは高電圧動作が可能であり、微細化されたゲート長でも優れた性能を発揮することが期待されている。しかし、現状ではGaN-HEMTの最大発振周波数（fmax）は600 GHz以下であり、テラヘルツ帯での電力利得は十分ではないため、本研究ではfmaxに近い高周波数域で利得性能を向上させるためのGaNデュアルゲートHEMTを開発した。このデバイスは、ゲート・ドレイン間容量間容量（Cgd）を低減し、電流利得遮断周波数（fT）を50 GHzから53 GHzに、fmaxを150 GHzから240 GHzに向上させた。これは、Cgdとドレインコンダクタンス（gds）の改善によるものである。デュアルゲート構造はテラヘルツ帯でのGaN-HEMTの性能向上に寄与する可能性があることを示している。

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グローバルネット株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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