カテゴリー
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- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
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- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
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- キャピラリ／ディスペンサ
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- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
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- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
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- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
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- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
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- ポリイミド樹脂
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
高周波パワーアンプ向け3 次元インダクタ素子に関する層間膜プロセスの開発
住友電気工業株式会社、新江 定憲
GaN HEMT
3次元インダクタ素子
基本情報
移動通信や衛星通信で使用されるSiC基板上GaN HEMT高周波パワーアンプは、MMIC構造の低損失・小型化が求められています。本研究は、SiO2とポリイミド層間膜を用いた3次元インダクタ素子を試作し、特性を評価しました。結果、ポリイミドは高周波で高Q値を示し、SiO2の層間絶縁膜では歩留の高さが確認されました。この技術はインダクタの低損失化とコスト削減に寄与し、高周波アプリケーションにおける重要な進展を示唆しています。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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高周波パワーアンプ向け3 次元インダクタ素子に関する層間膜プロセスの開発
