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「ABICS E120」

レーザーテック株式会社
最終更新日: 2021年02月18日

EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置

EUV光(波長:13.5nm)を用いたEUV(極端紫外線)マスクブランクス欠陥検査/レビュー装置は、2017年当社が世界ではじめて開発・販売した製品です。
半導体性能向上に不可欠な回路微細化を実現するEUV露光技術。その実用化に先駆けて開発した量産対応の本装置は、回路原板(フォトマスク)の材料であるマスクブランクス内部にある微小な欠陥を検出します。EUVマスクブランクスの欠陥管理や歩留まり向上に大きく貢献していきます。

基本情報

・Actinic inspection (λ=13.5nmのEUV光源を採用)
・Mo/Si多層膜内部の転写性位相欠陥を高感度に検出
・暗視野光学系による、高感度かつ高速な検査
・高倍率のレビューによる高精度欠陥座標取得
・明視野/暗視野レビューによる欠陥解析
・EUVマスクブランクス(Mo/Si多層膜)の検査
・EUVマスクブランクスの欠陥解析
・欠陥の高精度位置検出

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取扱企業

レーザーテック株式会社

業種:試験・分析・測定  所在地:神奈川県 横浜市港北区新横浜 2-10-1

EUVマスク用欠陥検査装置で市場を独占

マスク/レチクル欠陥検査装置で世界的に実績を残している。特にEUV光源を利用することで微細なパターンを高速に測定できるようにしたEUVマスク用欠陥検査装置は独占的な地位を占めている(2021年)。現在は生産能力強化に力を入れている。

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