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PECVD装置NF-300H

Piotech
最終更新日: 2021年03月04日

新世代の3次元フラッシュメモリチップ(3D NAND)に応用した国産初のプラズマCVD装置

128対以上のSiO2、SiN(ONON)多層薄膜積層構造を実現でき、粒度、粗さ、応力、生産性の4つの主要な側面でブレークスルーを実現できた。装置の性能指標は、産業化能力と市場競争力を備えた、同様の製品の国際的な高度なレベルに達している。

基本情報

・優れた生産能力とCoOを所有する
・1~3個のPMを搭載できる
・安定した薄膜性能指標とプロセス性能
・様々な種類の薄膜堆積の高速切り替え、高い生産性
・300〜600℃の高温蒸着の要件を満たすことができる
・多層スプリンクラーヘッド構造設計、高速気相スイッチング
・S2安全認証とF47標準検査に合格した

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Piotech

業種:産業用機械 遼寧省沈陽市濁南区水家900号 

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