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MB85R8M2TA

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社
最終更新日: 2021年11月30日

100兆回の書き込みを保証する8MビットFRAM

同社のFRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品。2021年11月からサンプル出荷を開始した。製品は、同社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリ。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に最適なメモリとなっている。

基本情報

主な仕様
製品名 MB85R8M2TA
容量(メモリ構成) 8Mビット(512K x 16ビット)
インターフェース パラレルインターフェース(低消費電力SRAM互換)
動作電源電圧 1.8V~3.6V
動作温度範囲 -40℃~+85℃
書込み/読出し保証回数 100兆回(10の14乗回)
パッケージ 48ピンFBGA, 44ピンTSOP
低消費電力 動作電流(最大) 18mA
スタンバイ電流(最大) 150μA
スリープ電流(最大) 10μA

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取扱企業

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

業種:電子部品・半導体  所在地:神奈川県 横浜市港北区新横浜 三丁目9番1(新横浜TECHビル)

富士通セミコンダクターのメモリ製品事業子会社。FRAM、ReRAMの開発、設計を行うファブレス企業

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、高品質・高性能のFRAM(強誘電体メモリ)、ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)といった新技術を用いたメモリLSIと、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案している。

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