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[第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ウエハ接合を用いた3D 集積と今後の展望

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

東京エレクトロン、永野 風矢

ハイブリッド接合

基本情報

 次世代ロジックデバイスの開発がオングストローム世代に進む中で、2次元微細化の限界が顕著になっており、これに対応するため3次元積層技術が注目されており、単位面積当たりの集積度の向上と機能の多様化を実現している。特にハイブリッド接合技術は、接着剤を使わずに絶縁体と配線を直接接合する方法で、高精度のアライメントを可能にしている。SiO2を使用した初期のハイブリッド接合は接合強度が低く、ボイドの形成が問題であったが、SiCNを使用することでこれらの問題が解決され、ボイドの形成を抑制し、強度の高い接合が可能になった。このSiCNの接合メカニズムに関する研究は、今後の絶縁体膜開発の指針となり、多くの半導体製造企業や研究開発機関によって引用されている。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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