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［SIMS］二次イオン質量分析法

財団法人材料科学技術振興財団
最終更新日: 2025年01月21日
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SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry

イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。

・高感度（ppb～ppm）
・HからUまでの全元素の分析が可能
・検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで）
・標準試料を用いて定量分析が可能
・深さ方向分析が可能
・数～数十nmの深さ方向分解能での評価が可能
・数μm角までの微小領域の測定が可能
・同位体分析が可能
・破壊分析

基本情報

○適用例
・イオン注入元素の深さ方向への分布評価
・積層膜界面の汚染や膜中不純物の評価
・III-V族化合物半導体の組成評価
・半導体中不純物元素の二次元分布・三次元分布評価
・各種金属材料・無機材料・炭素材料・有機材料の評価

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取扱企業

財団法人材料科学技術振興財団

業種：試験・分析・測定  所在地：東京都 世田谷区喜多見 1-18-6

製品開発・品質管理を強力サポートする、受託分析サービス。 公正中立な第三者機関として、最先端の科学技術の発展に貢献します。

エレクトロニクス分野・マテリアル分野・ライフサイエンス分野などの製品・材料・素材の分析を、100種以上の分析手法を取り揃えて承っております。
お客様の「なぜ？」「困った…」「どうなってる？」に分析データ・解析結果でお応えします。

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