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【1/15開催セミナー】半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 〜光と電子で「見る」技術の最先端〜
光学検査・電子顕微鏡・走査プローブ顕微鏡の基本原理から、ウェハ欠陥検査、マスク検査、GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析など、最新の検査・解析技術までを解説するセミナーです。ぜひこの機会にご参加ください。
◇講師
東京大学 物性研究所・特任助教 博士(理学) 藤原 弘和 氏
◇講演趣旨抜粋
検査・解析により半導体デバイスの「出来栄え」を評価することは、デバイス開発、プロセス開発、製造コスト、品質保証等のあらゆる観点で不可欠なプロセスです。現代の先端ロジック・メモリ半導体集積回路を構成するデバイスは、サイズが小さくなっているのに加えて三次元化が進んでいます。半導体デバイスの世代が進むにつれて、微細かつ複雑な構造を持つデバイスをいかに検査するかという問題も大きく膨らんできています。 本講座では、半導体プロセスにおける検査・解析技術の全体像と基礎原理を理解し、半導体集積回路のトレンドを踏まえどのような技術が開発されているかを理解することを目標とします。特に、光と電子を組み合わせた新しい解析技術について詳しく解説を行います。半導体デバイス・プロセス開発や製造で検査・解析に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
◇講演プログラム抜粋
1.半導体プロセスと検査
1-1. 半導体集積回路のロードマップ
1-2. 半導体プロセスの基礎
1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途
2.光学検査の基礎
2-1. 光学顕微鏡
2-2. レーザー顕微鏡
2-3. 白色干渉計
2-4. ウェハ欠陥検査装置
2-5. マスク検査装置
3.電子線検査の基礎
3-1. 走査型電子顕微鏡(SEM)
3-2. 透過型電子顕微鏡(TEM)
3-3. 走査透過型電子顕微鏡(STEM)
3-4. 電子エネルギー損失分光(EELS)
4.走査プローブ検査の基礎
4-1. 原子間力顕微鏡(AFM)
4-2. 走査型静電容量顕微鏡(SCM)
4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)
4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡(KPFM)
5.最近の検査・解析技術の動向
5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析
6.将来展望とまとめ、Q&A
基本情報
◇日時:2027年1月15日(金) 13:00~16:30
◇受講料(税込):49,500円 ※2名同時申込みで1名分無料等、各種割引特典有
◇受講可能な形式:【ライブ配信】or 【アーカイブ配信】のみ
取扱企業
サイエンス&テクノロジー(株)株式会社
業種:サービス業 所在地:東京都 港区浜松町1-2-12 浜松町F-1ビル7F
「情報を必要とする人」と「情報を持つ人」の結び目に
現在では、多くの情報を誰でも容易に得ることができるようになりました。しかし、依然として、“自分が本当に必要な正確な情報” は獲得できない状況にあることに変わりはありません。また、それを得るためには、業種・企業・産官学・社会的立場・人脈・年齢・物理的な距離の問題など、乗り越えなければならない多くの壁があることも事実です。
一方、社会へ貢献できる貴重な情報を持ちながらも、必要な人々へ伝達・発信することができないという壁も存在しています。当社は、皆様に代わって「壁」を超え、必要とする人と情報を与える人を結びつける役割を担います。
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