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原子拡散接合タイプ常温接合装置

株式会社ムサシノエンジニアリング
最終更新日: 2021年01月28日

基礎研究の用途から量産まで、幅広い用途での装置設計が可能

ADBとは、ウェハ等の接合面に超高真空中で微細結晶膜を形成し、それらの薄膜を真空中で重ね合わせることで、2つのウェハを接合する、常温接合技術の一つです。当社では東北大学との共同研究開発により、世界で初めて、原子拡散接合技術によるウェハ接合装置の製作に成功しました。基礎研究の用途から量産まで、幅広い用途での装置設計が可能です。従来の技術とは異なるアプローチで、お客様の課題を解決できる可能性があります。
製品の小型化、耐久性の向上、高性能化をお考えの方は、ぜひ一度ご相談ください。

基本情報

原子拡散接合の応用分野
・ウエハ・レベルで積層化・集積化した新機能デバイスの創製
 集積回路と短波長光デバイスの集積化(Siデバイス/GaN、フォトニクス結晶、LED)が可能です。新機能光-電子変換デバイスとしてご利用いただけます。
・3次元実装、パッケージ基盤高機能化
 SiデバイスとSiデバイスの積層やヒートシンクとしてご利用いただけます。
・異種材料ウエハ間の接合によるハイブリッドウエハ
 シリコンと石英ガラス等の極薄金属膜を挟み込んだハイブリッドウエハ接合が可能です。
・光学用デバイス
 光透過デバイスとしての機能膜接合が可能です。
・MEMS等の製造技術
 凹凸加工されたウエハの接合が可能です。

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取扱企業

株式会社ムサシノエンジニアリング

業種:産業用機械  所在地:埼玉県 さいたま市岩槻区並木 2丁目10番10号

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