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Spin-transfer Torque MRAM Technology

Everspin technologies
最終更新日: 2023年04月28日

低消費電力
高耐久性
高速書込み

STT-MRAMは、当社のToggle MRAMと比較して、スイッチングエネルギーの大幅な低減を実現しました。また、拡張性に優れているため、より高密度なメモリ製品を実現します。Everspin STT-MRAMは、垂直磁気異方性の高い垂直MTJを使用しており、長いデータ保持、小さなセルサイズ、高密度化、高耐久性、低電力を実現します。書き込み動作では、MTJを通過する偏光電流の方向により、自由層の磁気状態が決定されます。固定層に平行な場合、MTJは低抵抗状態になり、反平行な場合、高抵抗状態になり、論理1またはゼロ状態のビットセルと同等のものを効果的に提供します。

基本情報

Everspinは、さまざまなメモリのワークロードやユースケースに最適化されたSTT-MRAM製品を開発しました。データセンターおよびエンタープライズストレージアプリケーション向けに、DDR4のようなインターフェイスを持ち、パーシステントDRAMのように動作する、1Gb密度のデバイスを提供しています。
また、STT技術を進化させ、より広い温度範囲で動作し、書き込み耐久性とデータ保持性を向上させ、産業用IoTや幅広い組み込みシステム用途に対応した製品を提供しています。これらの製品は、新しいJEDEC標準のxSPIインターフェースを採用し、業界標準のパッケージで、低ピン数、低レイテンシ、高速データ転送により、これまでにない帯域幅の読み書きを実現します。

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取扱企業

Everspin technologies

業種：電子部品・半導体 Chandler AZ 

Everspin Technologies, Inc.は、データの永続性と完全性、低レイテンシ、およびセキュリティが最も重要な市場やアプリケーションに、ディスクリートおよび組み込み磁気抵抗RAM（MRAM）およびスピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）の設計、製造、商業出荷において世界をリードしている企業です。 Everspinは、データセンター、クラウドストレージ、エネルギー、産業、自動車、輸送の各市場で1億2000万個以上のMRAMおよびSTT-MRAM製品を展開しており、世界で最も強力かつ急速に成長しているMRAMユーザーの基盤を築いています。

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