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拡張伝送線モデル(TLM)法を⽤いた熱電半導体の接触抵抗の精密測定

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月30日

京都工芸繊維大、桂 章皓

MEMS

基本情報

 伝送線モデル(TLM)法は半導体-金属の接触抵抗値を測定する従来の方法であるが、半導体層や金属層の厚みを考慮していなかった。この問題を解決するために我々の研究グループは、サンプルの厚みやサイズを考慮した拡張TLM法を開発した。この新しい方法では、熱電半導体((BiSb)2Te3)のメタライズ構造を調整し接触抵抗率​を精密に評価し、バリアメタル(Ti

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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