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[第45回優秀論文賞受賞記念講演] SiO2 で挟まれたSi 薄膜の横方向結晶成長における安定{001}<100>方向への結晶方位の回転傾向

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

島根大、葉 文昌

Si膜

基本情報

 Si薄膜の溶融結晶化に関する研究は、結晶方位(CO)の制御と無粒界化を目標に進められてきた。マイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法により、Si膜中に約8μm幅の単結晶帯を数mm以上成長させることに成功した。この研究では、SiO2-capped Si膜が(001)方向に結晶化するメカニズムと、非(001)結晶が導入される過程を解明した。60nm-Si膜では、前傾方向のピッチ回転が観察され、これは固化時の横方向膨張に起因する。200nm-SiO2-Cap付き60nm-Si膜では、(001)<100>方向が安定であり、他の(001)結晶は回転してこの方向に収束する。特定の条件下で双晶核が発生しやすく、これが(001)結晶の占有率に影響を与えることが分かった。この知見は、Si薄膜の結晶化制御において重要な意味を持つ。

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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