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窒化ガリウム半導体デバイスの市場規模、シェア、メーカー、成長予測レポート ( 2024 - 2033 )

SurveyReports.jp
最終更新日: 2024年09月25日
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窒化ガリウム半導体デバイスの市場規模は、2022年に194億米ドルと評価され、2023年から2032年にかけて年平均成長率3.28%で成長し、2032年には268億米ドルに達すると予測されています。

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、パワーエレクトロニクス、RFアンプ、オプトエレクトロニクスに使用される高性能部品で、その効率、熱伝導性、高電圧での動作能力が評価されています。

GaN半導体デバイス市場は、製品タイプ（パワーデバイス、光半導体、RFデバイス）、アプリケーション（通信、自動車、航空宇宙、家電）、地域（北米、欧州、アジア太平洋）で区分されます。

市場成長の原動力は、電気自動車、再生可能エネルギー、5Gインフラにおけるエネルギー効率の高いパワーデバイスの需要増。課題としては、製造コストの高さやGaN材料の供給制限などが挙げられます。

GaN半導体デバイス市場の主要企業は、Cree、Infineon Technologies、Qorvo、NXP Semiconductors、Efficient Power Conversion (EPC)など。

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