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◇講師
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻教授　霜垣幸浩　氏

◇講演趣旨抜粋
　最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD（Atomic Layer Deposition、原子層堆積法）は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、３次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。また、簡単な装置構成でも薄膜形成が可能であることから、各種コーティング用途にも利用されるようになりました。
　しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
　本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

◇講演プログラム抜粋
１．薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開
２．ALDプロセスの概要と特徴
３．ALDプロセスの理想と現実，最適化方針
４．ALDプロセスの高スループット化と課題
５．理想的な原料ガス開発の指針
６．QCMを用いたガス吸着特性の評価
７．ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
８．ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
９．ALD関連学会の情報

基本情報

◇日時：2026年10月2日（金） 10:30～16:30　
◇受講料(税込)：55,000円　※2名同時申込みで1名分無料等、各種割引特典有　
◇受講可能な形式：【会場受講】

価格帯	1万円以上 10万円未満

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取扱企業

サイエンス＆テクノロジー(株)株式会社

業種：サービス業所在地：東京都港区浜松町1-2-12 浜松町F-1ビル7F

「情報を必要とする人」と「情報を持つ人」の結び目に

現在では、多くの情報を誰でも容易に得ることができるようになりました。しかし、依然として、“自分が本当に必要な正確な情報” は獲得できない状況にあることに変わりはありません。また、それを得るためには、業種・企業・産官学・社会的立場・人脈・年齢・物理的な距離の問題など、乗り越えなければならない多くの壁があることも事実です。
一方、社会へ貢献できる貴重な情報を持ちながらも、必要な人々へ伝達・発信することができないという壁も存在しています。当社は、皆様に代わって「壁」を超え、必要とする人と情報を与える人を結びつける役割を担います。

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【10/2開催セミナー】ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎とプロセス最適化および最新技術動向 へのお問い合わせ

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