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【11/26開催セミナー】酸化ガリウム(Ga2O3)・ルチル型GeO2の 結晶成長・薄膜形成とデバイス応用
ミストCVD法とGa2O3・ルチル型GeO2の結晶多形制御、論文や特許調査から酸化ガリウムやルチル型GeO2に関連する研究開発動向も解説セミナーです。ぜひこの機会にご参加ください。
◇講師
京都工芸繊維大学 電気電子工学系・教授 西中 浩之 氏
◇講演趣旨抜粋
本講演では、低コストの成膜方法として期待されているミストCVD法と、現在次々世代パワー半導体として注目されているGa2O3とルチル型GeO2の結晶成長について説明します。Ga2O3やGeO2は複数の結晶多形を持ち、適切なデバイス動作にはこれらの結晶多形を制御する必要があります。本セミナーではGa2O3の結晶多形の特徴や形成技術、そのデバイス応用に向けた研究動向、ルチル型GeO2の結晶多形制御技術やそのデバイス動作などについて説明します。また、論文や特許調査から酸化ガリウムやルチル型GeO2に取り組んでいる研究機関などについても紹介します。形成技術については講演者が開発したミストCVD法を中心に、MBE法やMOCVD法などの手法でのGa2O3とルチル型GeO2についての例を紹介します。
◇講演プログラム抜粋
1.酸化ガリウムの結晶多形
1.1 結晶多形の結晶構造
1.2 結晶多形による特徴
1.3 結晶多形による研究開発動向
2.酸化ゲルマニウム
2.1 結晶多形の結晶構造
2.2 ルチル型酸化ゲルマニウムの特徴
2.3 研究開発動向
3.ミストCVD法
3.1 ミストCVD法の歴史
3.2 ミストCVD法の原理
4.酸化ガリウムの作製技術
4.1 成長方法全般
4.2 結晶多形の制御方法
5.ミストCVD法による酸化ガリウムの作製技術
5.1 α型酸化ガリウムの結晶成長
5.2 β型酸化ガリウムの作製技術
5.3 κ、γ、δ型酸化ガリウムの作製技術
6.ミストCVD法によるルチル型酸化ゲルマニウムの作製技術
6.1 ミストCVD法でのルチル型酸化ゲルマニウムの成長
6.2 ルチル型酸化ゲルマニウムの課題
7.パワーデバイスへの応用と今後の動向
7.1 酸化ガリウムのデバイス例
7.2 ルチル型酸化ゲルマニウムのデバイス例
基本情報
◇日時:2026年11月26日(木) 13:00~16:30
◇受講料(税込):49,500円 ※2名同時申込みで1名分無料等、各種割引特典有
◇受講可能な形式:【ライブ配信】 or【アーカイブ配信】のみ
取扱企業
サイエンス&テクノロジー(株)株式会社
業種:サービス業 所在地:東京都 港区浜松町1-2-12 浜松町F-1ビル7F
「情報を必要とする人」と「情報を持つ人」の結び目に
現在では、多くの情報を誰でも容易に得ることができるようになりました。しかし、依然として、“自分が本当に必要な正確な情報” は獲得できない状況にあることに変わりはありません。また、それを得るためには、業種・企業・産官学・社会的立場・人脈・年齢・物理的な距離の問題など、乗り越えなければならない多くの壁があることも事実です。
一方、社会へ貢献できる貴重な情報を持ちながらも、必要な人々へ伝達・発信することができないという壁も存在しています。当社は、皆様に代わって「壁」を超え、必要とする人と情報を与える人を結びつける役割を担います。
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