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KABRA! Zen

SiCインゴットスライスを高速化、ウェーハ取り枚数を倍増

KABRAプロセスはレーザを連続的に照射することで、分離層(KABRA層)を任意の深さに形成し、このKABRA 層を起点に剥離・ウェーハ化するインゴットスライス加工です。
なお、本プロセスは単結晶(4H・6H・半絶縁性)および多結晶のあらゆるSiC インゴットに適用でき、単結晶ではそのオフ角を問いません。

基本情報

Φ6インチSiCインゴットからウェーハを切り出すまでの加工時間を従来の、1インゴットあたり100時間から、1インゴットあたり約31時間へと大幅に短縮する。さらに剥離後のウェーハのうねりが抑制できるようになる。また、剥離後の素材ロスを抑え、インゴットあたりのウェーハ取れ数を2倍にしている。8インチインゴットに対応、ウェーハ厚は40μmにまで対応。

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取扱企業

株式会社ディスコ

業種:繊維  所在地:東京都 大田区大森北 2-13-11

半導体組立用「装置」と「加工ツール」のトップ企業

半導体・電子部品の切断(ダイシング)、研削(グラインディング)、研磨装置(ラッピング/ポリッシング)の世界トップメーカとして、高い製品力を持つ。装置とそこに搭載する加工ツール(砥石)の双方を取り扱っている。

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