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Pulsar XP

ASM International NV
最終更新日: 2022年07月15日

HKMGスタック形成対応ALD装置

・Pulsar XP ALDは少量生産に対応したALDリアクタを搭載
・クロスフロー構造のチャンバでALDに最適化したガスフローを実現。優れた膜特性、均一性を実現している。
・高精度なガス供給システムとガス供給/パージ・サイクルの制御、短時間化を実現

基本情報

主要アプリケーション
High-k gate dielectrics (hafnium oxide, hafnium silicate);
High-k capping layers for metal gate work function tuning;
High-speed aluminum oxide;
Conformal passivation layers;
High-k for microelectromechanical systems (MEMS) applications. ​​​​​​​​​​​​

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取扱企業

ASM International NV

業種:産業用機械 Versterkerstraat 8,1322 AP Almere 

薄膜形成技術で多層構造の未来を築く

ASM のテクノロジーは、未来の高度なチップを作り出す半導体材料の薄膜を形成する技術である。 さらに多くの用途、さらに多くのトランジスタ、そしてさらなる複雑化によって、ますます多層化が進んでいる。各層を組み合わせることで、新しい可能性の世界を開いていく。

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