カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
- オーリング
- シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
- リニアモータ駆動システム
- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- サセプタ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリー
- 薬液用ポンプ
- テフロン（半導体グレード）
- SASU（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- 防塵衣
- エンドポイントモニタ
- ケーブル／光ファイバ
- 真空バルブ
- オーリング
- 真空シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
- リニアモータ駆動システム
- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリ／ディスペンサ
- ノズル（スプレーノズル、スリットノズルなどを含む）
- インクジェットヘッド（ノズル）
- 薬液用ポンプ
- スペーサ供給ユニット
- コロナガン
- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- レーザ光源
- 赤外線検出器
- シリコン
- 化合物半導体
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- g・i線レジスト／現像液
- KrFレジスト／現像液
- ArFレジスト／現像液
- AｒF液浸レジスト／現像液
- EUVレジスト／現像液
- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
HYETA
高生産性ALD装置
HyEtaはコンフォーマルな絶縁膜形成によるギャップフィルをシームレスに実現する。またとメタル膜形成との連続処理も可能。
基本情報
主な成膜対象
SIO2 Seamless Gap Fill
- ZrO2
- AlO
主なアプリケーション
- DRAM Capacitor
- 3D NAND Block Oxide Layer
- High Temperature SiO2
→3D NAND Channel Hole Gap Fill
取扱企業
WONIK
業種：産業用機械 韓国京畿道城南市盆唐区板橋路255番ギル20
ALD装置の有力メーカ
1991年にGAS CABINETの生産を始め、1996年に半導体前工程の核心装備である原子層堆積装置(ALD)の開発及び量産に成功し、2001年には 半導体前工程のPE-CVD装備を開発して供給している。ALD、PECVD以外にも、LPCVD・Oxidatio/Diffusion等で実績を残している
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HYETA
