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GALOIS(ガロワ)

レーザーテック株式会社
最終更新日: 2022年11月28日

GaNウェハの各種欠陥をより高速に検出し、高い解像度で欠陥の観察が可能

・透明基板の検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能
・微分干渉光学系により、シャロースクラッチや各種結晶欠陥を高い感度で検出
・光源/光学フィルタによる波長選択機能により、GaN on SiCなどヘテロエピ構造で膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能
・最新の画像処理技術により、GaN表面モルフォロジーの影響を受けない検査が可能
・量産工程を想定した6インチ6分の高速検査を実現
・欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート

基本情報

対応サイズ:最大8インチ
検査対象ウエハ:バルクGaN、ホモエピ/ヘテロエピGaNウエハ
検査時間:6分/枚(φ6インチ、10xレンズ使用)

お問い合わせ

取扱企業

レーザーテック株式会社

業種:試験・分析・測定  所在地:神奈川県 横浜市港北区新横浜 2-10-1

EUVマスク用欠陥検査装置で市場を独占

マスク/レチクル欠陥検査装置で世界的に実績を残している。特にEUV光源を利用することで微細なパターンを高速に測定できるようにしたEUVマスク用欠陥検査装置は独占的な地位を占めている(2021年)。現在は生産能力強化に力を入れている。

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