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ICE47N60W 47A, 600V Nチャンネルデバイス 

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
最終更新日: 2023年02月14日

『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高い
スーパージャンクションMOSFETです。

高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の
AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。

基本情報

【特長】
■TO247パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※英語版カタログをダウンロードいただけます。

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取扱企業

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

業種:電子部品・半導体  所在地:東京都 青海省江東区 2-7-4 SOHO0603

【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハーのメーカー】

当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点)

革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。

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